MOSFET在脉冲 高电压 下，其栅氧化层会被击穿吗？
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我想问问各位，如果正常工作电压最高为5V的PMOS MOSFET，如果在其S端加10V电压，G端接GND
,这样持续时间2us左右（相当于VSG=10V高电平，2us脉宽的脉冲加在栅氧化层上），MOSFET的薄栅氧化层会被击穿吗?
欢迎各位踊跃讨论
,这样持续时间2us左右（相当于VSG=10V高电平，2us脉宽的脉冲加在栅氧化层上），MOSFET的薄栅氧化层会被击穿吗?
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5V器件的栅氧似乎抗打击能力还不错. 2us应该还好吧。我猜的，千万别当权威意见。
可以的
謝謝無私的分享~感激不盡阿！
可能被击穿，若没击穿会导致可靠性降低
2X的电压，2us会损伤氧化层，即使不会立即失效，但也会影响寿命
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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