偏执电压
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我想为NMOS提供一个218mv的偏执电压，让其工作在亚阈值区，如何设计一个偏执电路?
其实最好是能从电路本身找到这样一个偏执，大家有没有什么建设性意见?
其实最好是能从电路本身找到这样一个偏执，大家有没有什么建设性意见?
218mv 你是怎么确定的呢?如果考虑全温度范围 这个值范围是?
如果再考虑 ss tt ff这个值又如何?
只能从单位w/L偏置电流的值来定 亚阈值
尝试出来的，在218m的时候bandgap的温度系数最好！
偏执 电压一般调节管子的宽长比 来实现的
从1.2Vbandgap电压分压来产生
主要考虑的是工艺变化的影响还是温度的影响啊
NMOS是工作在全corner的218m性能最佳?
还是在218m下的电流性能最佳?
有哪个偏置能提供精确的偏置电压呢?无论怎样，PVT变化都会有影响的。Bandgap都做不到。想让管子工作在亚阈值区，电流一定的情况下把W/L调大就好了，一般达到gm/id大于16就可以，不过这也得看你的具体设计是什么
学习中
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