衬偏效应对折叠共源共栅放大器直流增益的影响

我在仿真一个PMOS输入对管的折叠共源共栅结构运放的直流增益时，发现NMOS共栅管体电位的接法会显著影响运放的增益（相差十倍）。
但是按照我的推论，运放的增益等于输入管的跨导gm乘以输出阻抗Rout，输入管的跨导不会变化，而输出阻抗Rout按照拉扎维（西交翻译版）书上71页的推导也不会有很大的变化，Rout=[1+(gm2+gmb2)*ro2]*ro1+ro2。衬偏效应会影响MOS本身的跨导，我看了管子的工作状态，在有衬偏效应时gm+gmb，与没有衬偏效应是的gm基本相等。按照我上面的考虑，应该对直流增益不会有很大的影响。
我的问题：
1.我上面的推导做了很多的简化，是不是有什么重要的因素我没考虑到，才造成推论和仿真结果不一致?
2.Cadence仿真中看管子的工作状态时，gds和ron这两个参数什么关系?
先感谢各位的关注！

结论很不合理啊，应该基本没有影响才对
检查dc operating point是否正确?
opamp 是open loop simulation 还是close loop simulation?

基本没有影响。<=10%

仿真是闭环仿真，我再检查一下直流工作点是否正确多谢回复

多谢回复如果应该没什么影响的话，有可能是我的工作点设置有问题，我再检查一下

如果MN4管子的Vds很大，有可能导致sub有漏电，增益会减小很多。
接成自阱会有所改善吧

your cascode is in linear...

check gds

影响主要是由于Vth变化吧 因为 VBS 不再是0了 这样的话 你的上面的NMOS的 VGS－Vth 就变化比较大 直流偏置点不一样了 是有可能增益变化很大的
建议LZ检查下直流偏置点

wkfr正解

   多谢回复，我使用的工艺师P衬N阱工艺，所有NMOS都只能在衬底上座。

有衬偏之后管子不在饱和区，增益自然下降

   多谢回复另外我想请教一下，同一个管子gds和ron的关系。我一直以为这两个参数是互为倒数的关系，但是我在做瞬态仿真看管子的工作状态时，这两个参数的乘积并不是1，而且会随着直流工作点的变化而变化。
我又查了一下资料，之前我的理解有错误。
gds是管子小信号输出阻抗的倒数；ron是管子大信号导通电阻。ro=1/gds，我之前把ro和ron两个参数搞混了。

多谢回复，已经检查了工作点的问题，是有些管子的工作状态不太对。

多谢回复

   多谢回复

bingo, you can not mix the large signal parameter and small signal parameter, the later is linear model, usually is not the real case, only trust the transient results.

   多谢您的回复。

无图无真相。

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