求助：1.3-6V下工作的bandgap，愁死了

看几篇论文。这个还是比较简单的，就看具体要求了

研究几个论文就行了
很简单的

首先把工艺Device等都选好，然后再看些PAPER。其实有很多的例子可以选取，关键看你设计的BG有何别的要求没有，如是考虑低功耗，还是高精度，和较高的PSRR等。

刚做了个1.4-3.7V的bandgap，觉得低功耗更容易做，用Power越多反而越难做。

用Banba的结构

    要求万分之五的line tran（1.3V-6V）和60db的PSR。您是否说的是电流模BG?我试过，效果不是很理想。

        要求万分之五的line tran（1.3V-6V）和60db的PSR。您是否说的是电流模BG?我试过，效果不是很理想。

        要求万分之五的line tran（1.3V-6V）和60db的PSR。您是否说的是电流模BG?我试过，效果不是很理想。

    我现在在1.7-6V的基准变化只有2mV，可是在1.4-1.7V就很差，您那是不是用了low Vth的管子?

用耗尽管做基准，不用bjt

工艺是?0.35um?

1.4V 85dB的PSRR。不过我管子基本上都是工艺允许的最长度了。

用起native nmos就好设计多了。刚流了一个0.8V~的bandgap

    就是阈值电压比较低的那种吧，只有NMOS……

    能分享下或者提个方向吗?谢谢

   我和你的情况一样，你那有相关的论文吗?能分享一下吗?

pre power +基本bandgap，或者pre power+ 耗尽基准。没有pre你的line 和psrr 不太可能达标，或代价很大

   哥，能给推荐几篇论文不?在不同电源电压下工作，很是晕乎！

凡是说psrr不说频率就是耍流氓..

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