低功耗管子尺寸的问题
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电流很低时(如60nA),仍要保持饱和工作,这样会出现W/L=1/10的比例,我知道这会引起窄沟道效应,出了这个以外,还会有什么不良影响么?有谁做过低功耗芯片(模拟的)的反相设计?别人(大公司)也这么做么?
首先,L=10是长沟,没有短沟效应,只是这种比例的管子匹配稍差(相比10/1)。
其次,你电流这么小,如果W/L不够小,管子有可能进入亚阈值区。
小编说的是窄沟,不是短沟。
1/10的尺寸并不夸张,电流镜为了得到很好的匹配,需要大的Vgs,取1/10也是正常的。要看什么工艺,对于0.18um或更小尺寸工艺,w=1um也不是很小了,窄沟效应有那么严重吗?这个我不清楚。
60nA电流容易受噪声和干扰的影响,这在仿真中很难看出来,实际效果还要看流片的结果。
谢谢,我们用的0.13工艺,w达到0.5u(保证L不超过最大值)。怕流片有问题。
关键还是看应用吧,如果是一个低速低精度的东西,可能影响不大
我们的芯片中偏置电流也是100nA以下,也没有出现什么问题
如果L超过最大值,可以用两个MOS串联来达到吗?
看衬偏对阈值的影响是否可以接受,一般都可以串联。个别电路会影响性能。
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