运放前模拟和后模拟的结果相差很远的原因

[attach]583732[/attach]电路图如上。

前模拟的时候增益是80Db。但是版图后模拟（用的spectre）只有20dB。怎么查看是什么原因呢?
版图设计的时候，因为用对称设计，所以MoS管有些会拆成两个，和这个会有关系吗?、
后模拟求输出电压摆幅的时候，虽然设置连接都和前模拟一摸一样，但是得到的图像刚好是相反的，前模拟是先高电平，后低电平，后模拟是先低电平后高电平。刚好完全相反了。

难道有一级电路没有正常工作吗?

这是电路图

端口对吗?后仿网表的端口有可能和前仿网表的端口顺序不一致。
看dc电流，bias电位

   提取寄生参数的时候选择的是calibre view，之后是直接在生成的带寄生元器件的原理图上跑的仿真。所以端口的名字是和版图的一致的，因此也是和原来的原理图是一致的。而且都统一了大写。所以应该不存在这个问题吧?
我是直接用spectre仿真的，没有用它生成的网表。貌似用那个好麻烦，我就直接用提取出来的带寄生元件的原理图仿真。但是感觉应该不是这个的问题才对。

应该是某个管子的工作状态发生变化了，仔细检查，主要在两个输出级上，输出电阻明显变小了

看看dc工作点有没有吧

3阱工艺?

你分析.AC时，有接成负环吗?

输入NMOS M1 M2 bulk 要接地啊, 不然 M5 都被短掉了

什么工艺，输入对管的可以不接地么?
补偿的电阻干么不直接用电阻?

实在是太乱来了。

衬底都不接gnd/vdd么- -
把layout放上来看看?我怀疑是你输入管source上的电阻太大，导致尾电流源进线性区了

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