基于CMOS基准设计的部分电路问题

望大神回复 详细点

你那两个PNP的base接哪呢?

很明显I3那个PMOS管工作在线性区，所以产生的电流不一样的！电阻R13太大了！

把PMOS 的L都增大试试！

1) pnp base should be connect with ground
2) I3 Vds is different with I1 and I2.

1.保证管子都工作在饱和区。
2.镜像电流跟沟道调制效应有关，理论上只有VREF跟钳位运放输入点电压相等时，三路电流才相等。
  为了尽量减小VDS对匹配的影响影响，建议可以增大L，或者采样cascode结构。

VDS调制效应导致电流是不同的。也正如已经提到确保双极基地接地。

我的偏置是给OP了 ，电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11 产生，这样不可以吗

你BJT 基极悬空?

    接上了 ，但是还是不好使。电流还是不同

感觉到你的启动电路有问题，你试试将启动电路断开试试，别加启动电路，你正常工作的时候电流是多大?

你这样都揉到一起不好调的。你先调Ibias，没有启动电路没关系，DC照样可以跑。再调EA，把EA基本参数调好。最后再把系统整合起来。

   你要告诉我们你这电流不一样，是有多不一样，
   因为channel modulation，电流不一样是正常的，关键是有多大不一样

    启动断开?我基准部分的电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11,这样确定的  前两个大概是7uA,但是最后一个却是5uA，这样定电流可以吗

    我基准部分的电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11,这样确定的  前两个大概是7uA,但是最后一个却是5uA，这样定电流可以吗?前面的偏置是二级米勒部分的偏置电流。分别是10uA,100uA,200uA.

    我基准部分的电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11,这样确定的  前两个大概是7uA,但是最后一个却是5uA，这样定电流可以吗?前面的偏置是二级米勒部分的偏置电流。分别是10uA,100uA,200uA.你说的EA是放大器部分?我都先做了仿真的结果没问题啊

这么小的电流，建议小编把pmos current mirrors的l调大，w减小一些

MOS应都工作在饱和区，pnp的基极应接地才有你想要的Vbe撒

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