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高方阻值的poly电阻

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大家有用过smic 035的工艺吗?
最近用SMIC工艺,发现poly方阻电阻只有38欧姆,太小了。能不能用active电阻或者tim电阻替代啊

还有带sab层的ploy电阻,那个方块电阻大些

我说的那个38欧就是rgpsab。已经带了sab

用sab 高阻 highpoly

sab 方块电阻38欧?太小了吧?

sab 起码250~350欧/方以上的。
你说的几十欧的应该不是



   


这不。没有其他的了。

我咋就这么滴悲剧捏。

这是Nplus和Pplus sab Res,我说的是poly sab

从你的表上看好像是如你所说的那样,但是你说的这个smic035我用过,里面有高阻poly的,1k/sqr吧



    那个GPsab就是poly电阻。



   你说的是不是MS,LO等工艺,如下表所示。但是我用的是EE工艺,我怀疑是不是hrpoly用来做EEPROM的栅极了。所以导致没有高阻poly了。

原来这样啊,我用mixed signal的,eeprom的就不知道了
这个poly应该只是做 salicde block 但是没有做implant block
所以这个应该还是 P+ or N+ poly,方块电阻自然就很小



   看来是这样的了,我要悲剧鸟。


trim res是什么电阻,建议你仔细读design rule,搞清楚这些电阻类型,看看需不需要多用mask



   需要多用mask,不过EEPROM总是要用的,所以也还好。

好像是有高阻的

加上SAB后既然方块阻值变那么大,看来片外trim res还是不能加SAB了,foundry没提供片外trimming rule真头疼啊......下周就TO了......

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