基于CMOS的基准部分求助
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图中的基准电路改中Verf产生的电路部分上的最后一个PMOS不知道为什么它的电流不和前两个一致，而且他们的电流是由下面的I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11, 得出与温度无关的电流，对应的求出R11与R7的比值，其中R7=R12。我仿真结果看这俩PMOS都在饱和区，为什么前两个没事，最后一个I3怎么不和前面相等?而且我改变电路中的R13，对最后一个PMOS没什么影响，它还是没在饱和区。
maybe you could modify R13=1.2/I3
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