关于沟道调制效应
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工作在饱和区的MOS才有沟道调制效应，但是我在做拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》的第3章课后习题第8题时感觉有问题，课后答案认为三极管区的MOS也有沟道调制效应，请高手解释是答案错了还是三极管区的MOS有沟道调制效应?答案截图如下：
英文答案
第8题的答案
英文答案
第8题的答案
从作者的描述来看，主要是考虑了由三极管区向饱和区转换时的连贯性，但是，从书上看，对沟道调制效应的分析都是在器件工作在饱和区的基础上进行的。是否因为这里L只有0.5um，很容易发生沟道夹断，所以在三极管区和饱和区都考虑了沟道调制效应?
学习了
不知道，但是从定义的角度和沟道调制效应产生的机理上来看，线性区是没有沟道调制效应的，所以不太明白。只要LAMDA在，自然就会有
可我认为lamda只是一个系数，有了沟道调制效应后lamda才有意义，否则可以认为lamda不存在。
望高人指正！
朋友，这个问题你现在理解了么?我现在也做到这里，感觉有点不太明白申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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