为什么用MOS的亚阈值区，而不是用设计很小W/L的饱和区
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如题，如果需要调理200pA到20nA的电流信号，一定要利用MOS的亚阈值区么?可不可以使MOS管工作在饱和区，设计让W/L和Vgs-Vth都非常小。
看到关于饱和区和亚阈值区的漏源电流Id都是与W/L有关的，低功耗下为什么不是设计比值W/L特别小的工作在饱和区的MOS呢?是否只是因为
W/L过大或者过小都会使得电路面积很大?
鄙人没有设计过IC，知识都是书本上的。望大侠们解惑啊，多谢
看到关于饱和区和亚阈值区的漏源电流Id都是与W/L有关的，低功耗下为什么不是设计比值W/L特别小的工作在饱和区的MOS呢?是否只是因为
W/L过大或者过小都会使得电路面积很大?
鄙人没有设计过IC，知识都是书本上的。望大侠们解惑啊，多谢
供电电压
匹配失调
gm/Id
这几方面~
20nA的电流，你的W得有多小，工艺允许吗
gm/Id，matching也是一方面
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