关于过驱动电压的疑问

怎么知道LINEAR的过驱动电压很小?

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这个你就不要问了
反正至少有几款芯片是这样
绝对真实

工作在sub-threshold区域，用较小的功耗获得较大的gm

好像有道理

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一般的电流镜的MOS 管 gm 小点好

应该看具体地方吧?是不是偏置电流跟输出电流有关?

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和那没有关系

如果芯片的静态电流小于10uA，基本可以认定大部分管子在亚阈值区工作。
亚阈区的好处就是增益大、功耗小，随便一款运放都可以做到100+dB。
缺点就是成本高、成品率不够，除非工艺足够牛逼。一般的设计公司不愿意碰这块。

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即使不增加电流，也完全可以将vdsat做的更大，
但是它就不这样做
比如说一支路的电流为700nA，
电流镜管子是5/2 *2，
为什么不作成4/5呢

10# confiope
我想我可能不大理解你的情况。提到Vdsat是做什么用?

Vdsat就是过驱动电压
就是Vgs-Vth

低功耗设计的要求吧?
不过低功耗设计，频率响应就成问题了，特别是带负载以后

过驱动电压我都叫Vod诶，不过不要紧。
那我们从正向设计来考虑，设计的要求是低功耗，静态电流必须要低，要么减少过驱动，要么减少宽长比。本来静态上分析说，过驱动不减少，使用倒比管也是可以，但是L很大的时候，栅电容也会大，充放电的时间就会相对较慢，工作速度被限制住了。另一方面，在相同版图面积的情况下，减少过驱动电压使得工作在亚阈值区，又可以获得更大的Gm，一举两得。那为什么许多公司不这样做，还是工艺的问题。如果偏出了亚阈区，岂不是弄巧成拙。那linear在这方面的研究上个世纪就开始了，也推出了N多的系列。基本上所有的低功耗LTC-OP，都是在亚阈区工作的。

只是普通的电流镜，
并不需要多大的gm，
可能是它们的工艺过硬，
Vth的失调可以控制到很好的范围吧

vdsat过大输出范围会受到一定的影响的

电流镜线性了。可能是为了满足低电压的，对电流镜的匹配无关紧要。

减小电流，减小gm，减小宽长比，这就是低功耗。我得多学呢

你怎么就能知道他工艺的u和cox参数呢?工艺再牛逼，随机现象也是不能避免的，我更多是怀疑你把工艺参数搞错了。

Vsat。

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