求教 过驱动电压的 问题
录入：edatop.com 阅读：
我仿真的管子 Vds-(Vgs-Vth)=0.1v 是工作饱和区
但是0.1v的余量是不是够用?
大家一般留多少余量?
但是0.1v的余量是不是够用?
大家一般留多少余量?
通常200mV以上吧
仿真时 这个余量是TT下的 就差不多了吗?
跟你用的process有关系，如果是180nm一下的，一般200mv，如果是130nm或者90nm的保证150mv也够了，另外你在看看.tran的simulation结果。
100mv到200mv就差不多了，太高了没有效率了
0.2V，学习了！
输入管or负载管?前者的话可以，后者可以更大些。
前者为了gm，后者为了速度与失调。
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
上一篇：关于运放亚阈值区的问题
下一篇：关于过驱动电压的疑问
