共源共栅PTAT产生电路

如图所示一个共源共栅组成的PTAT电流产生电路，由于低功耗要求，将PTAT电流在室温下设置为160nA，故图中下方的NMOS电流镜的管子工作在亚阈值区，请问共源共栅电路，管子工作在亚阈值区会不会有什么问题?另外，DC仿真的时候发现，亚阈值区管子的阈值电压跟工作状态有关，稍微调整下，阈值电压就变化很大，这正常吗?

Nmos 5段器件?

这里MOS管不可以工作在亚阈值区，你说的阈值电压的变化，NMOS管存在body effect

图中 NMOS 为什么是 5端器件?

   是的

   BCD工艺，不是CMOS

   可能跟衬偏效应有关，但我想主要不是衬骗效应引起的，因为两次仿真时源端的电位基本不变（几十毫伏变化），但阈值电压有上百毫伏的变化。

我在想会不会跟管子工作在亚阈值区有关

5 pin 應該 nmos 下有PARASTIC DIODE
NLB diode ?
那類產品 ? Ac DC ?
另外高壓的MOS  如果CURRENT MIRROR 太小會出事..
不過 BCD 一般 使用的高壓MOS 是 GATE  OXIDE 是薄的 ..Drain 耐高壓.
0.16ua  ..還可以但再低就不知道  量產會不會飄導致 跟本無法 start up ..

160nA的电流，对于BJT来说，电流好像小了一点吧。BCD工艺，好工艺高压管的确是5端器件

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