请前辈指教小弟计算Kn和Kp，迁移率。

  需要 tox  
  
      迁移率 在mobility下面找 u0
BJTU?

同问,我也一直困惑中！

Kn=u0*Cox=u0*(tox/eox)
u0 在BSIM模型里边就是表示迁移率 单位 um/V^2
tox氧化层厚度   eox二氧化硅介电常数

不对。u0不是Kn公式中的迁移率。
建议看看Baker的书。上面有比较详细的说明

电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数，以字母ε表示，单位为法/米(F/m)

　　定义为电位移D和电场强度E之比，ε=D/Ε。电位移D的单位是库/二次方米(C／m^2)。
　　某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0之比称为该电介质的相对介电常数εr ，εr＝ε／ε0是无量纲的纯数，εr与电极化率χe的关系为εr＝1＋χe。
　　真空介电常数：ε0= 8.854187817×10^-12 F/m
SIO2的相对介电常数为3.9（半导体物理上有）
Cox = esi / tox
注意这里的tox单位是m
结果是0.000892F/m^2

直接仿真求取，不要算

具体点。

The golden reference on BSIM3 is BSIM3 manual from UC Berkeley. You may download it direct from BSIM research group. In general, there are three mobility modes in BSIM3.3, U0 in the Spice netlist is not effective mobility.

我对楼上的楼上说的仿真求取还是比较认同的~
但是仿真前是可以根据.lib文件来初步确定相关参数的一个初始值，当然不甚精确，因为许多高阶效应没有记在其中。
NOTE：.lib文件里面的物理量都是国际单位！

提取啊
查表

怎么提取

   仿真测试一个管子   观察静态工作点  电流Id  有Vgs   有Vth
   带入公式算么  哪个区就带哪个公式
   当然  高阶效应看你带啥公式

见楼上

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。