Low current 的32KHz 晶体振荡器的负载电容能要很小吗？10pF以内？
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最近在做一个晶体振荡器的电路。一般32.768KHz的晶体Spec上都会注明负载电容是6pF或者12.5pF。但这么大的负载电容对工作在亚阈值的放大管来说起振变得非常困难。
chip123上有个帖子提到过low current架构的crystal oscillator负载电容要很小。比如32Khz的 负载电容在10pf以内，最好是3-4pF。但晶体的spec的负载电容要求都没这么低啊，可以这样选择吗，还是说要找负载电容是3-4pF的晶体?
chip123上有个帖子提到过low current架构的crystal oscillator负载电容要很小。比如32Khz的 负载电容在10pf以内，最好是3-4pF。但晶体的spec的负载电容要求都没这么低啊，可以这样选择吗，还是说要找负载电容是3-4pF的晶体?
ding！
我也在研究这块
希望有高人解答
同求，负载电容对振荡电路的功耗影响?
...但这么大的负载电容对工作在亚阈值的放大管来说起振变得非常困难...
我不知道小编上面这句话哪里来的根据?能不能起振跟crystal要求的Cload有什么关系?
Cload是crystal谐振频率所要求的，而且一般Cload越大振起来的频率才越稳定。
起不起振是你电路设计的问题，要多大电容是crytal的特性
准备接触振荡器，还不懂
请问后来设计成果了吗? 我准备做个32kHz单pin的OSC,500nA,可能做到吗?
ddddddddddddddddddddddddddddd
ding ding ding
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