tsmc35SiGe工艺中四端npn
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请问高手，tsmc35SiGe BiCMOS工艺中的四端npn，除了E、B、C，剩下中间那个端口是不是衬底S?应该接到哪?通常为了隔离，将NPN的衬底接到最低点位，所以我接到地了，这样对么?
工艺文档里面不是有剖面图吗?
请问第四端是指盖在基极的区域上的多晶端吗?
我们也正考虑用这个工艺，需要可以QQ联系：287979881
明显衬底吧
对哈！保证源衬结在任何情况下反偏！
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