模拟电平选择求问

用普通的传输门结构做了一个模拟电平选择结构。如图所示，通过时钟的高低电平切换选择是内部电阻分压得到的2.5V还是外面芯片的输入电平（仅在芯片上电的时候的切换一次）。现在的问题是对于下面的传输门在刚上电的时候PMOS衬底的电压为0V，如果芯片输入VCTRL在芯片上电之前已经建立的话，这个PMOS衬底PN结就导通了，芯片存在烧坏的风险。不知道有没有什么好的方法解决这个问题，另外out端需不需要加个电容呢（out直接接到mos管的栅极上，输入阻抗应该比较大）?不知道大家都怎么实现芯片内部电平切换的?

pmos 衬底问题：1用衬底选择电路选择最高电平。2衬源接一起。
输出要加电容。

    这个问题是在上电过程中才会出现的。由于芯片还没有完全上电，如何选择电平呢?对于传输管源漏可能互换，衬源短接似乎也不大可行。另外，输出端本身就具有一定的寄生电容，加电容的原因是?多谢~

衬底选择电路自己找下，电容稳压。

    OUT脚还是加个电容滤下波把，毕竟会有噪声的。衬底选择见下图：
         

   查了一下，一般的衬底选择电路用在电荷泵等电路最高电平不确定的场合，但对于上电过程的应用似乎很少涉及。不知能否提供相关问题的资料?另外输出电容多大合适呢，有没有经验值还是仿真确定? 另外能想到的一个方法是在外部电平输入端串联一个电阻限流，不知是否可行?

衬底选择电路对于上电过程没问题，别老是听别人说，你自己想想啊。有没有问题你分析下啊！

做这行关键要有分析问题解决问题的能力，否则别干这个了，还有收集信息筛选信息，及快速的学习能力。这个是要锻炼，提高的。否则。

    不好意思，纠缠太多了。但我相信该问题在设计中是个经常遇到的问题，在电荷泵等结构中衬底选择电路确实用得很多，但在衬底选择电路的资料中都没有提到将其应用在上电过程中，这点比较纳闷。不管如何，谢谢了~

    能不能用是看会不会出现问题，要判断出不出现问题是靠你分析，和仿真。那你说它为什么在上电后能用?上电后用一定不会出现问题?你好好想想。我后来懒得回答，是因为有些地方你不思考就问，我对此比较反感。
   而且经过自己思考和验证的东西才算是掌握的，千万别做：别人怎么说你就怎么认为的人。

    我相信在电荷泵等应用中衬底选择电路的应用已经达成共识。但在电平选择器的上电过程中存在的衬底漏电问题（事实上也只是输入在电源上电之前建立才会出现，且需要输入驱动能力较强）上却找不到相关的资料，但这个问题又确实是存在的。之所以纠结这个问题，不是因为衬底选择电路在此处是否可用的问题，而是为什么大家不考虑上电过程PMOS管漏电?

LZ应用环境是什么呢，VCC和Vctrl 上电顺序 是确定的呢 还是 不确定的

    你需要让人带你几年

   你讲的都对，只是在这个问题上是不是可以针对这个问题直接告诉我解决方案呢(如果知道的话)，我相信论坛也是个学习的路径，不是么?无论如何，还是多谢，如果觉得太烦，请无视。

    应用中可能输入先上电的，所以要考虑这个问题。

这个问题 画个 纵向陪面图 就能分析 是不是存在 漏电的地方了

  多谢关注，理论分析确实是存在的，因为该问题只在上电过程存在，并且输入的驱动能力一般没那么强，芯片直接击穿的可能性不大，但可靠性问题还是存在的。

理论分析确实是存在的?为什么呢?
可以用图示来讨论一下

    假设芯片上电之前输入端Vctrl=3V，PMOS管衬底接VCC，在上电初始VCＣ电压为０Ｖ，这样该ＰＭＯＳ管衬底（Ｎ阱）和输入端Ｖｃｔｒｌ（ｐ型）之间的ＰＮ结正向偏置，存在漏电。当然芯片上电之后由于衬底已经处于最高电平，漏电问题不会存在。

   为什么不将vctr1直接连到分压电阻的分压点那，这样就没有那些问题了，当你不加vctr1时（可以外挂一个电容）为分压，加vctr1时为vctr1.

    由于需要芯片内部切换电平，所以不能用该方法。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。