为什么跨导会这么大

下面的图是同学做的实验，他用了短沟管0.18um，我实在想不出为什么跨导会那么大，左边是第一级mos管的工作点按速度饱和区公式我推的跨导不到2ma/v，可是他做到了5个多ma/v，经典饱和区就不说了，还有一个问题是工艺文件里给的vth是0.3075V，为什么这里会变成0.48v呢，也不存在体效应啊，我把管子换成长沟管，立刻数据就和算的差不多了，就是不太明白短沟管的这些效果，希望大神们帮忙解答下，谢谢了

短沟道效应

短沟道效应? 反了吧
180nm开始做halo，就是这样的
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=364983&highlight

     我说的是他计算和仿真差别的原因，不是特指他Vth增大的问题。
     你发的帖子写的很好，不过是不是halo造成的或者说它的影响有这么大吗，毕竟沟道缩短没有halo的话平均浓度也会增加，而且halo还在LDD的下面，影响未必有那么大。没halo的器件也有类似的效应的

当然是halo的影响咯，做halo就是为了对抗SCE，就是为了让短沟道时候保持一个高的VTH
不然leakage没人能受得了

    说的不太准，halo主要是防止耗尽区连在一起punch-through，而vth是指形成沟道的开启电压，punchthrough的时候沟道未必形成。所以halo真正作用不是为了保持高Vth。

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