cmos功放设计出现漏端电压差分性很差
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我输出级单级仿真的时候发现漏端电压差分性还行，但是两级联防的时候出现问题，我仿pss，输出P1db=25dbm，但是差分漏端电压峰值差了很多，电流差的不是很大，因为输出阻抗匹配我是用信号匹配方法设计的，可能是在大信号情况下差分阻抗不是平均分配造成的，希望大家能讨论下。这是差分漏端电压的波形：
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还有一个问题就是，我看了下不管是第一级输出波形还是第二级输出波形，都是正半波形和负半波形的时间长度不同，也就是类似占空比不是50%的正弦波，我看了下，是输入栅端的电压高于vbias时输出漏端的波形时间长度小一点，会不会是高于Vbias时电流大，充电时间短造成的。图是下面这个
，，还有一个问题就是，我看了下不管是第一级输出波形还是第二级输出波形，都是正半波形和负半波形的时间长度不同，也就是类似占空比不是50%的正弦波，我看了下，是输入栅端的电压高于vbias时输出漏端的波形时间长度小一点，会不会是高于Vbias时电流大，充电时间短造成的。图是下面这个
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