对称与非对称高压管的选择
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最近在用BCD工艺做一个LDO，工艺库中有漏端耐高压的非对称HVMOS和源和漏都耐高压的对称HVMOS，不知这两种管子在何种情况下该选择对称HVMOS，何种情况下选择非对称的HVMOS?请指教，谢谢~
个人觉得，非对称，B必须接S端；对称，B可以随便接，反正BS和BD都耐高压。
symmem size 基本上和 iso nmos 一樣大
一般是雙端耐高壓 如 高壓電容 用在 opa 或是 , 拿來當 high side bulk nmos
一般 一般 LDMOS process 多是 低 rds on LDMOS , 但很多 nmos 是 low side bulk 就是 bulk 和 source 間不耐高壓 .
high side bulk 因為電場 好像 kirk effect ? 總之 high side bulk nmos不常見
有使用限制
不知道如果 > 35v 高壓電容會使用那類 ? 高壓 opa 須要
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