栅地电阻作用的理解问题？

有电路图吗

你说的是GGnmos gate接一个电阻到地么?可以防止gate被瞬间高压打坏，还可以调整snapback点吧

    对，就是GATE 接一个大约3k的电阻连到VDD或者GND,不知道为什么能提高击穿的启动速度?

还有电容吧

    栅地电阻很大，能捕捉到外界电压。（如果电阻小的话，即使外界电压很大，得到的栅压也不大）当Vgs达到一定大是导通，是漏极电压降低，起保护左右

Under ESD conditions, as the padvoltage is increased the gate voltage is increased as well which decreases the triggering voltage.R should be chosen in such a way that under
normal operating conditions (when maximum pad voltage is VDD), the gate voltage be less than threshold voltage of the NMOS and under ESD conditions the triggering voltage be close to optimum point in V(gate)–Vt1

    6楼和7楼的说法，我是否可以这样去理解：当栅地电阻很小的时候，ESD放电时只有漏极和衬底形成的PN节放电，当栅地电阻比较大时（比如3k ohm），ESD放电时，栅极电压开始大于阈值电压，源漏开始导通，除了漏极和衬底形成的PN节放电外，源漏极形成的沟道也在放电，这样放电更加快速?

MOS管的GS之间的寄生电容和接地的电阻形成了RC，当ESD发生的时候，在电阻上形成压降，可以降低MOS管的击穿电压

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