MOS衬底B极的接法讨论

可以的，没问题的，画版图时用隔离环隔离就行了，

再挖个n-well不就好了

nwell工艺，pmos是可以S，B短接的吧

都是psub的，pmos都是在nwell中，所以是可以直接接s的

M4的衬底与上端的引脚相连接（高电位的）吧

谢谢 请问大家
问题1  现在一般的工艺是单阱（N阱）CMOS工艺吗?比如tsmc 0.18um?
问题2  M4 M10的SB都短接的话，注意显然M4的S和M10的S电压不一样，而B都是接N-WELL，请问 这时候N-WELL的电位是不是矛盾了?
          因为M10使得B=N-WELL=VDD  而M6使得B=N-WELL=M4 S   

u r right

nwell你可以挖多个的啊，又不是只能一个

能否问一个问题，就是关于MOS的EMI辐射问题，我们现在在200MHz附近MOS辐射非常高，请问除了加snuber还有什么好的解法吗

还有关于POWER 有什么好的资料吗?3q

help me！

挖多个管用吗?
他们都是同属N型掺杂

不知所云！
PMOS 是可以不同sub的！
NMOS 不行，除非有DEEP NWELL

单Nwell是可以做的，优其PMOS差分对用的很多，和你们电路工程师沟通下就明白了。

NMOS 的 B 不想接 VSS ，才会需要 3 井工艺。
TSMC018 有 Deep nwell ，可以做 3 井

还是不太明白，能够帮助解释一下我前面的疑问吗

版图的时候在管子一周圈一圈接触，然后用NWELL圈起来。

最近提了一个电路，发现P SUB, N WELL ，中做了NMOS的输入对管，是用了深井技术么?还是有什么其他方法?
高手指点下

不錯不錯
讓剛入門的我
了解更多了

哎！pmos。nmps的混作一谈，不知道你在说啥。
pmos单独的nwell，当然可以接。和nmos没有关系。nmos可以再deepnwell的情况下sd相接。tsmc18不是提供deepnwell吗?

大家的意思是在电路设计里面不管是NMOS还是PMOS他们自身的S B极都可以各自接在一起。那这样就不存在背栅效应了? 这样不行吧
但是以前学教材的时候，书上说：
MOS集成电路都做在同一衬底上，由于公共衬底，不能把所有的MOS的S都和B接在一起，否则他们的源将通过衬底相互短接了！
所以 NMOS的衬底全部接最低电位GND，所有PMOS衬底全部接最高电位VDD！（这样Vbs是不一定等于0了，有一定的背栅效应，有时候还较大）

我想问的是：
设计中是不是应该这样-----------------------------------
所有NMOS的衬底全部接最低电位GND，
所有PMOS衬底全部接最高电位VDD ！

help me  thanks a lot

楼上的楼上和楼上的楼上的楼上说的很有道理。

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help

help

不知道小编在说什么，我只知道一种高压NMOS管，衬底做在BP里，电位是可以随意接。普通NMOS管衬底就是PSUB，跟GND远近没啥关系吧

怎么大家不理解我说的啊?
我想问的就是TSMC0.18UM工艺下 在电路仿真和layout的时候B极的接法问题?
NMOS的B极一定要接GND（VSS）还可以接它本身的S极（特别是在串接的cascode中）?
另外 一般我们在1.8V TSMC 0.18UM下面选用nmos2v这种管子来仿真。如果nmos的B级可以接S极，是不是一般要选择nmos2vdnw这种管子来仿真和layout。

要tri-well工艺才行

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