电容耐压问题

什么电容?mos电容?为何耐压不足?多少V电压?信息很不完整
电容串联有floating point

poly电容，工作电压太高，反正已经高于poly电容的两端耐压值

什么叫poly 电容?如果是两层poly 就是PIP电容，搞不明白你在说什么，什么叫工作电压太高，这个电压是IO进来的?那IO的esd也要有相同的耐压

    PIP电容也叫poly电容，IO的耐压没有问题，你到底懂不懂?问的只是电容耐压而已，老是注意的其他地方，电容耐压不足，并不意味IO也耐压不足，这是两码事，用的又不是一样的器件。

晕, 你知道PIP电容介质层多厚?你能把这层介质breakdown?
我真搞不懂，是不是我不懂，还是你说不清楚
你说比如I/O device耐压是5V，然后PIP电容耐压才2.5V，
你想想做工艺的人也不傻?做个电容出来不能用在5V power domain?
这是直觉上的理解
PIP电容的oxide总比gate oxide厚吧，那耐压也会比device高才对
1f/um^2的电容耐压在15V以上

看起来你没有用过高压管了，我们用的MOS管耐压在30V以上，但是poly的电容两极板之间耐压只有10V，
而电源电压是30V，根本就不用管什么介质，这些信息在工艺资料说得很清楚了，现在的问题根本不用考虑
工艺的问题，仅是设计的问题而已。不知道怎么一直再跟我讨论什么工艺的问题。

标题

你看，一开始把信息说全不就没那么多事情了。PIP电容串联解决不了耐压问题，串联的中间节点都是floating，谁也不知道它们会跑到哪里，但是如果只要AC电容，不关心直流，那在这一串电容旁并联几个电源到地的分压电阻
MOS耐压高，就用MOS电容咯

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。