rfic设计中的 mos 的源级与衬底
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请问在RFIC业界中，通常情况下，实际设计中 mos的衬底是接到原极 ，还是接到低电平（地）?
谢谢！
谢谢！
我也期盼大侠解释
可以接源端。
和一般的模拟电路一样啊，只有做在阱里衬底才能接源极
盼 有实际在大公司做过RFIC的人出来解答下。bless
一般情况下，RFIC的NMOS需要用DNW LAYER来隔离，这样可以隔离NOICE。但用了DNW会增加芯片面积。如果不想增加成本，那么就从GND PAD上拉一条干净的VSS来接衬底，和源分开，源上VSS也从PAD上来，但建议加DNW。
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