LDO中第一级运放类型的选用问题？

full swing，更对称

采用OTA

第一个是对称ota,不过负载电流镜取1:1蛋疼啊。取个1：3或者1：4好些。

    如果是低功耗设计，1:1也很正常

低功耗，为什么要用这种高功耗高噪音单极运放结构?（相对于普通的单极电流镜负载）  这种结构是能够更好的match,不过我个人认为取合适的WL更为重要.

    取合适的WL是降低random offset，而好的电路结构能降低system offset。这个运放结构在regulator或者bandgap里面应该是比较常用，system offset 相对小。

带宽更大?

提高摆幅！

1. 第一种对称OTA可以提供更高的增益和GBW；2. 镜像比例通常选择3到4，如果只是1的话，就只能起到增加摆幅的作用，太高了会影响稳定性；
3. 第一种OTA有更高SR，可以提高瞬态特性。

  另外我觉得你应该改用PMOS输入：两点考虑，噪声和PSR。

    赞成
    以图2为标准,假设输入和镜像MOS管的偏置电流为ID。
    假设图1输入偏置电流为ID/m，输出偏置电流为ID，图1情况下gm * m * ro = sqrt(2k'*W/L*ID/m) * m * [1/(λID)] =  sqrt(2k'*W/L*m*ID) *[1/(λID)] ，增益变大了,system offset变小了，SR不变，消耗的电流增加了1/m
    假设图1输入偏置电流为ID，输出偏置电流为mID,图1情况下gm * m * ro = sqrt(2k'*W/L*ID) * m * [1/(λ*m*ID)] =  sqrt(2k'*W/L*ID) *[1/(λID)] ，增益没变,system offset没变，SR变大了m倍，消耗的电流增加了m倍
    假设为两者中间的情况，就是图1输入管的偏置电流<ID，输出偏置电流>ID，这时候增益变大了,system offset变小了，SR变大，消耗的电流增加了。
    由于受更多电流源匹配的影响，random offset是增加了，由图2只有一对电流源的奉献变为了图1的三对

gooooooooooooooooooooooood

LDO Gain有个60dB就足够了

如何对提高电源抑制有帮助不太了解，愿详解

不好意思，再看了下结构，发现我错了，特此修正。NMOS作输入时，PSRR+要远大于PSRR-。电源上的噪声通过输出级的上管产生的电流，会被另一条的路径电流所抵消。而地的噪声将直接传递到输出，增益大约为1。

谢谢，非常感谢！

    没怎么看懂您说的..m您只指什么? 如果就按图1和图2所示，图一的第一级电流Id=第二级电流Id，SR是怎么得到的图1的更高呢?

    m就是图1 PMOS电流镜的比值

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