电流镜的一个小问题，请各位帮忙解答一下

B点变化比VX慢

   就这样解释么?你要是有模拟cmos集成电路设计这本书的话，上面119页有解释，不过我没太看明白。

Razavi书上是用了反证法来叙述的：
假设M2先进入线性区，会怎么样呢?
先需要注意的一点是，如果考虑长沟道的level1模型，那么对于左半部分电路来说，只要Iref确定了，那么VN和VA就固定了，不受有半部分的影响。
如果M2进入了线性区，条件是什么?那就是Vds2<Vgs2-Vth，而Vgs2=VA是不变的，这时，必然要求Id2随着Vds2下降。
注意到Id2=Id3，即是说Id3也下降。
我们假设的是，M3此时还在饱和区，而不考虑短沟道效应时，饱和区的Id3不受Vds3的影响，那么只能是Vov3=Vgs3-Vth下降了，换句话说，Vgs3下降了。
可是Vgs3下降了吗?Vgs3=VN-VB，VN没变，而VB却下降了，所以Vgs3应该是上升了的。
这就推出矛盾来了。
所以M2先进入饱和区的假设是错误的。

   绝大部分都看懂了，但是还是有个小问题。Id2为什么会随着Vds的减小而减小?是不是从线性区电流公式得到的?   还有再次感谢你花了不少心思回答我的问题。谢谢哈！

学到知识了，之前也看不明白

   我现在还在看这个模拟cmos，唯一的感受就是第一遍看的过程中简直生不如死啊。

当然是这样了
既然是假设了M2进入线性区，那自然是按照线性区的Id~Vds关系来算咯！

多看几遍，用过后再分析，也就好多了

简单点说，你这样假设，VGS2=VGS3，而且M2和M3的VDS开始是一样的。

你假设VB比VX变化快，那么VGS3=VG3-VB增大，而且VDS3也增大那么ID3增大，但是VDS2减小，而VDS2减小，则ID2减小因为ID3=ID2，所以与假设不符，所以VB比VX变化慢。所以VGS3-VTH3比VDS3变化慢，因而VGS2-VTH2-VDS2减小速度比VGS3-VTH3-VDS3慢，所以M3先进入线性区

    饱和区用够长调至效应，线性区用线性区公式。

   嗯，非常感谢你的这么热情的帮助我这个小白。

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