小弟跪求大神解答电流镜问题

如图，右面那个。所有的晶体管都处在饱和区且选择了合适的尺寸比率以确保Vgs2=Vgs4.如果
Vb=Vgs2+(Vgs1-Vth1)=Vgs4+(Vgs3-Vth3).则当M1和M3保持相等的漏源电压时，共源共栅电流源M3~M4消耗的电压余度最小。
我的问题是上面如果后面的那一串式子是怎么来的?至少也得有个依据吧?-------我恨拉扎维。

Va取M1过驱动电压，即M1消耗最小电压余度，Vgs2+Va=Vb-Va+Va=Vb

嗯，看懂了，非常感谢。你的意思是取M1刚进入饱和区的情况吧?

要保证M1饱和，那么VA最低也就是低到M1的过驱动电压嘛

目的是使VA=Vov

   我最近在看拉扎维的那个模拟cmos集成电路设计，感觉难的很，我都有点没有信心了，怎么办啊?还一个是那个书没有课后题答案，本打算看完书再做习题巩固一下的，没答案，做了也是白做啊。

习题答案有的呀，论坛里面搜索一下就能找到，不过是老外的手写扫描版，个头大，而且全英文（不知道是不是Razavi自己的手稿，哈哈）

   那个答案我看过了，英文手写版的，不过答案和题号并不对应。根本就不知道哪道是哪道。你当时是怎么弄的?

    呃，这个不用大神，菜鸟我也能回答。
1。vb有个上限和下限值。太高会使上面那个管子进入线性区，太低会使下面那个管子进入线性区。那串式子是最低值。
2。razavi答案里的前面有校对顺序的说明。不知道是不是lz看书不仔细没注意。

有校对的呀！
其实不对应的也就是后面几个章节

   嗯，我看到了。最近发觉我看书并不是很仔细，所以我就回头重新把看过的再看一遍。重新再看一遍，以前出现的问题都迎刃而解，所以以后看书要更加仔细。可能是自己急于求成吧，所以看起来都是有点匆匆忙忙的感觉。谢谢你热情的回帖哈！

   仔细一看，竟然真的有！都不知道我一天一天想的都是什么。谢谢你热情的回帖哈！我把以前看过的章节又重新看过一遍，出现的问题基本上自己都能解决。要是还有不会的，我会继续问你滴。

客气了！
其实我也是个菜鸟，入行也就不到2年，而且还是半路出家，非科班出身，基础也是薄弱得很哪！

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