关于PTAT问题

硅 -> 能隙 ->1.205 ev

看一下电路的书就应该清楚了

2楼的回答不够全面,

因为一般在版图上可以看到 带隙多是由9个BJT组成的正方形,

  因为这样可以保证对称同一性,带隙对此要求比较高

  所以系数一般就是ln8,在保证一阶补偿的情况下可以求出一阶微分方程的出带隙电压为1.25V或者1.24V

   所以带隙一般为1.24/1.25V

和工艺有关

明白了，这就是为什么版图里头，两个三极管刚好围成一个方块，8：1，而且对称性还好。

从版图中看问题！

洪志良《模拟集成电路设计》第三章

这是本什么书啊?没听说过
不知道共享里有没有啊

推4樓

我觉得楼上不是很对
不管8：1还是100：1
只要是温度系数相互抵消的话 差不多就是1.2V  这是由硅的基本特性决定的

VBG=VBE(Negative)+del V(positive)
Del V=Vt*lnN*(1+K)
K=Resister ratio
N=Bipolar ratio=8:1
If we want to zero Temp Cofficiency. need to do diff for Temp.
then get zero temp cofficiency.

对输出Vref解对温度的偏微分，若要得到室温下的0温度系数，此条件下的Vref就基本在1.25附近。

三极管的电流是负温度系数，但是他们的电流密度是正温度系数，为了让他们的关系与温度无关，必须选择
Vref＝Vbe+17.2Vt,
Vref=1.25V,
所以为了达到0温度系数，Vref的解就是1。25V， 舍其无他。
你也可以参考lazavi P313-P315页，更加详尽。

正解

什么是ptat，那位大侠能详解一下啊?菜鸟询问

其实高于低于1.25V也是可以的，只是会比较不准，一般在1.2V附近的基准电压的变化要小于高于或者低于1.2V电压的变化。

en bucuo

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