关于LDO的输出金属宽度，谢谢！

提取的LDO电流最大工作电流为300mA ，但是其功率PMOS和PAD相连的顶层金属（M2）的最小宽度只有65um，在这里只有一层金属（M2）流过电流。
这个LDO的限流为        MIN        TPY          MAX
                             330mA     450mA    700mA
这样窄的宽度不怕影响可靠性吗，尤其是在过流的时候?谢谢！

这里 的M2应该是顶层金属，工艺上应该有加厚处理，这样电流大会没事的，否则有危险，当然
在工艺文件中一般给金属密度都很保守。

真的只有65um的话，即使是thick Metal也有点悬，这是在特殊情况下才会有点问题，一般用用没事

Max 700mA的电流，PAd只有1个?bonding只有1条金丝?这些都有点悬?
电流真的达到700mA会有问题

首先多谢楼上的回复！
PAD是有两个，bonding也有两条，如下图所示。不过顶层金属不是连在一起的，另外一个PAD也没连走大电流的顶层金属，所以我不知道另外一条bonding线是否也走大电流。
似乎可以这样算，     300mA ( 最大工作电流)       / 65um  (顶层M2宽度)  =   5mA / um
又看了另外一个芯片，600mA ( 最大平均工作电流) / 110um (顶层M3宽度) = 5.5mA / um
不知道顶层金属是不是一般可以过这个数量级的电流

温度低，持续时间不是很久可以冒险用用，但是不符合电气特性规范！

如果是山寨，就马马虎虎用用吧！
因为山寨品不可能在恶劣的环境下持续使用好几年的！

和Metal Thick也有关

应该有可靠性问题。
用的时间长了应该会坏

是richt*k和ons*mi的芯片，可靠性应该还可以吧

应该是Thick metal
问题不会太大，正常Thick metal 应该在2~3mA/um
这个值是fab给的一般余量还是满大的，比如T的工艺，放大一倍应该没有什么问题

可能是特殊工艺，如果金属厚度超厚应该可以，此外还要看看下面还有没有其他层次的金属走线。

太厚的加工也容易有问题啊

要搞清楚是瞬间电流还是持续电流。电流密度的极限和温度也有关系的，高温的时候不太好。

大哥PAD就不能修改一下吗，完全可以做大点，不要给自己画个圈，跳不出来。

    个人认为这是一个非线性的问题，比如说M1的电流密度规定为1.5mA/1um，则10um宽度的M1走的电流应该大于15mA，100um宽度的应远大于150mA，希望有了解工艺的同仁进来谈谈。

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