传输门的问题
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在仿真时由于传输门pmos的B和S接法不同产生了不同的波形,见图
经过分析认为可能是由于电荷分享造成的,从电流情况看来,应该没有明显漏电,而且在ctrl变低时输出稍微变高,实在不理解,请大侠指导
若把负载电容增大,则没有上升的情况,下降情况也变得弱一些
pmos的衬底接上vdd就正常了
经过分析认为可能是由于电荷分享造成的,从电流情况看来,应该没有明显漏电,而且在ctrl变低时输出稍微变高,实在不理解,请大侠指导
若把负载电容增大,则没有上升的情况,下降情况也变得弱一些
pmos的衬底接上vdd就正常了
电压波形仿真结果
查看电流的情况
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都贴些.bmp格式的图片,让人怎么看啊
有心帮你,无力回天啊
这就是细节,细节很重要pmos的衬底怎么能连接输入呢 要接Vdd
否则当输入由高转为低时 drain端(P)和衬底(N)不就正偏了
晕Maybe he is worried about other format will lost the detail.
谢谢ronialeonheart,当时确实没想到正偏,只是想通过源漏相接减少衬偏效应的影响,也忽略了沟道电荷对负载的充电,多谢指点
bmp格式的图你不嫌大啊,好几M一张
网速有限,没办法
为什么不存成jpg或者其他格式学习了
学习了,呵呵这图基本看不清啊
学习了
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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