LVS寄生电容
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请教大家一个问题：LVS提取的寄生电容好像都是线性电容，那么这些电容是否包含前仿中管子的寄生电容呢?比如说，前仿真中的Cgs是否在LVS中提取的寄生电容中有所体现呢?
不包括
你要深刻明白什么是parsitic,什么是intrinsic,而且也取决model，比如foundry给的rf mos model,是包含parasitic的。
谢谢，您的意思是不是前仿中的管子电容（比如Cgs,Cgd）应该是intrinsic capacitance,但是LVS之后提取的电容才称之为parastic capacitance是吧?
Cgs Cgd一般都在模型里面. 其实做PDK的人也可以把提取规则写成去提取管子上的电容的，不过这样会导致后仿的时候重复计算管子电容了。
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