请教finger和mulitiplier的异同？

finger就是做成叉指形状的单个晶体管 , mulitiplier是多个并列的晶体管
w=10u  l=1u  finger=10 等价于 w=10u   l=1u  
w=10u  l=1u        m=10 等价于 w=100u  l=1u

原来如此

仿真结果不一样的原因是，考虑了poly到有源区边缘距离的效应。
一般来说，MOS管的电流与poly到有源区边缘的距离有关：距离越大，nmos的电流越小，pmos的电流越大。
而该距离大到一定程度时，电流基本恒定。因此我们画版图的时候加dummy的一个原因，就是把该距离加大到不影响电流。
对于多个finger，有可能poly到有源区的距离已经足够大；而对于多个multiplier，仿真model只是计算了单个mos管poly到有源区的距离。因此仿真结果不一样

不明白这段话：
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仿真结果不一样的原因是，考虑了poly到有源区边缘距离的效应。
一般来说，MOS管的电流与poly到有源区边缘的距离有关：距离越大，nmos的电流越小，pmos的电流越大。
而该距离大到一定程度时，电流基本恒定。因此我们画版图的时候加dummy的一个原因，就是把该距离加大到不影响电流。
对于多个finger，有可能poly到有源区的距离已经足够大；而对于多个multiplier，仿真model只是计算了单个mos管poly到有源区的距离。因此仿真结果不一样

对于
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w=10u  l=1u  finger=10 等价于 w=10u   l=1u
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每个finger的宽度实际为1u，right?

这个是正解！
有人叫LOD effect，出现在使用STI步骤地工艺中，比如0.18um以下。
但是有的foundry的model中没有包括。

xiexie1！

你说的不对，应该两者都是w=100u  l=1u。我认为前仿真电路结果差别不大，后仿真应该是有差别的！
finger是做成叉指形状的单个晶体管数 , mulitiplier是多个并列的晶体管数。

9# liuguojia612
小富人的是正确的，你应该仿真一下，就知道了

不考虑lod效应 应该是一样的

多是STI的影响，在65nm以下可能非常严重，看看SA/SB的值就看出差异了

必须要考虑lod效应，在0.13工艺中都很明显了

学习了！

那如果考虑了lod效应后，是应该用m好还是nf好呢?

lod效应啊
很明显，就尺寸来讲是一样的

12# cedricwung
Right. It's proximity effect.

上面为多指

下面为多m

true, chanal effect.

长见识了！

Fingers shares source / drains  , multipliers doesn't ..

学习一下。

支持  你说的才是正确的

实际操作一下就知道谁的正确了！这个办法好

9# liuguojia612
我赞成！

期待正解

LVS验证的时候如何避免多个晶体管呢?

mark 了解一下

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