请教：NMOS的衬底是在电路内部就近接地好 还是 在顶层单点接地好？

如果是模拟电路中的匹配NMOS，就近接地最好，实现开尔文连接结构。
接地拉得越远，寄生电阻越大，如果其他模块输出静态电流较大，作用在GND上的点位就相对高，对于匹配NMOS相当于一个小信号电压，这个电压会被NMOS自身增益放大成电流，造成适配比较严重。

请问 从衬底噪声的角度考虑 那一种好些?

觉得就近接地好，当然看你地怎么做的。

方法1，以后做电路时做两块板，分别对应不同的接法，看哪个效果好。
方法2，按照paper上讲substrate noise的分析方法，做个等效电路，看看哪种效果好。
方法3，cadence似乎有衬底噪声分析的软件，不知道好用不。
希望你得到结果后给我们说一下哪种好。不过我个人感觉应该是case by case的。

    他说的是衬底，衬底的影响应该没那么严重，因为理论上流过的电流比source上小很多。

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