关于全差分放大器

选folded cascode错不了

    用简单的telescope功耗都超标了，FC肯定更不行

即便简单的算算也知道好像几乎不可能

    VDD2V,基本不是纳米工艺了，gm/id应该不小，这个指标可以的，反正没有面积和噪声要求

    gm/id具体意义是什么呢?知道有这个参数，不知道具体的意义是什么，求解释。

    电流转化为跨导值的比率，它和Id/(W/L)有关，和W/L没关系，每个工艺能达到的数值不同，虽然能无限大，但面积的代价是比指数倍还大的增加，一般就取一个合理的较大的值即可，这个值就表明有多少电流，乘以这个值就是你的gm，无论你怎么调管子也没用，比如gm/id=20，那么流100uA，gm=100u X 20=2mS，流10uA，gm=10u X 20=0.2mS。原理就长了，自己找资料吧

   根据你的解释，我想了想，gm/i 是不是和工艺没关系，之与vov有关系，vov越大值越小。

    有嗒，gm/id=2/Vov也就在长沟道的强反型成立，短沟道什么的，弱反、速饱什么的根本不适用
我们知道要大跨导就要让之工作在亚阈值，这时候gm/id=1/nkt/q，n和工艺有关啊
Lz的条件显然主要管子都要亚阈值，当然速度，线性就差点了

    20uS/uA差不多在弱反了。

GBW=2*pi*1e9
% GBW 变化两倍应该很容易，最小500M,取typ 1e9
gm=GBW*2e-12
%不考虑ＤＣgain,不加任何gain boosting,一级，power efficiency optimized.
gm =
    0.0126
Id=gm/20
%取gm/Id=20,已经非常weak inversion了
Id =
  6.2832e-004
Id*2
% fully differential, 至少两倍电流
ans =
    0.0013
>> P=ans*2
P =
    0.0025
2.5mW,
不知道哪里算错了没?

    不要留设计余量，然后让gm/id=25，刚好2.5/2/1.25=1mW刚好,反正这功耗性能就别想了
    另外，GBW数值就是500M，不用乘2pi，你表达式错了gm=2pi*GBW*C

   你仔细看看lou主说的是500MHz,这不叫设计余量，是corner下的worst case, gm over I'd 等于25，你知道n 一般多大，你知道相应的cgs loading吗?

    LZ说的就是500M，哪说要考虑corner了?你的意思是达不到么?OK，1.5>n>1.2左右，我不是说了gm/id=1/nkt/q了么，什么范围你自己算吧。cgs是大，速度，闭环响应什么的都可能有问题，但LZ不考虑的啊，而且噪声和失配会好

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