三结四层
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由于集成电路中的晶体管是三结四层结构，集成电路中各元件的端点都从上表面引出，并在上表面互联，因此为了减小晶体管集电极的串联电阻，减小寄生PNP管的影响，在制作元器件的外延层和衬底之间需要做N+隐埋层。
我的问题是“三结四层结构”指的是哪三结，哪四层?请大侠们不吝赐教。
PS:还有 双极工艺和CMOS工艺中 有时会使用外延层，我想知道外延层的作用是什么
四层三结结构--指npn管的高浓度n型扩散发射区-npn管的p型扩散基区-n型外延层（npn管的集电 区）-p型衬底四层，以及四层之间的三个pn结这样的工艺结构。
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受教了
“ 为了减小晶体管集电极的串联电阻，减小寄生PNP管的影响，在制作元器件的外延层和衬底之间需要做N+隐埋层” 有地方说 外延层也是为了减小集电极的串联电阻用的，所以想问下外延层的具体作用是什么 应该不会是和隐埋层一样的作用吧
利用外延层可精确控制掺杂浓度，外延层缺陷少质量好，从而能提高器件参数特性。
另外利用外延层还可实现器件间的隔离。
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