关于STI对MOS管参数特性的影响有些疑惑
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小弟最近学习STI对MOS管参数特性的影响，有些疑惑望大侠们指点，非常谢谢！
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对NMOS 而言，the large compressive stress originating in the STI edge reduces the diffusion of pocket ion implants(Boron) and the doping concentrations in channel edges become higher, so the Vth will increase.
小弟不明白的有两点：
1.pocket ion implant 的中文解释是什么，以及为什么要做pocket ion implant
2.为什么pocket ion implants 要扩散，以及为什么STI的压力会抑制其扩散。
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对NMOS 而言，the large compressive stress originating in the STI edge reduces the diffusion of pocket ion implants(Boron) and the doping concentrations in channel edges become higher, so the Vth will increase.
小弟不明白的有两点：
1.pocket ion implant 的中文解释是什么，以及为什么要做pocket ion implant
2.为什么pocket ion implants 要扩散，以及为什么STI的压力会抑制其扩散。
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
