谁用过TSMC 0.35um 的工艺吗？ 问个问题！

这个跟电路结构也有很大关系吧

这个当然是一个方面，但是我们用了chopper方法来减小噪声的，但是仿真出来结果不能让人满意。

而且，我们已经尝试改进电路减小噪声，但是效果不明显。

所以，才会觉得是否是0.35的噪声性能不好?

看下noise summary````

看过的，也作过改进了，但是还没有达到期望的数值。

你现在是看simulation 还是measurement?
如果是simulation, 你看noise 是看AC?
Chopper 的作用不会在AC sim 里面出现。 所以flicker 该哪里还是哪里
还有你的noise 是flicker limited  还是 thermal limited?
你的chopper freq 和你的 noise corner 比是多少?

还有你的input referred noise 要做到多少?

我现在只是simulation，我是用pss+pnoise作simulation的。
我们是想做input referred noise<20nV/sqrt(Hz)的噪声，但现在仿真出来接近500nV/sqrt(Hz)，而且我们的模块噪声已经做到尽可能小了。
chopper频率我们定的是100kHz。

我们比较过TSMC 0.35um 和 CSMC 0.5um工艺，发现CSMC 0.5um 工艺在噪声方面比前者要好很多，所以有点怀疑是否是TSMC 0.35 um 工艺
不适合做低噪声的设计?

多多指教！

TSMC0.35 是好工艺，不要怀疑。

500nV/sqrt(Hz) 在哪个频率?
你能不能看一下你的ac sim 的noise summery, 看你的noise corner 在哪里?
你的noise corner 如果接近100k, 你的chopper 是没有用的。

是不是你amplifier 没有optimize noise.

我现在的仿真结果是 500nV/sqrt(Hz) @ 1kHz, 希望是得到 <20nV/sqrt(Hz) @ 1kHz。
那我去看一下noise corner，因为之前没有仿真过，可能要看一下。
直接用ac sim可以看到noise corner吗? 还是需要和noise sim一起做的?还有就是noise corner是怎么看出来的?

是直接从input noise 的曲线上看出来吗?这样好像它的thermal noise 是在减小的，并不是恒定值，这样公式不好用啊?

你看看noise sim, 你的1kHz noise 是多少。

我怀疑你的chopper 作用没体现。

如果chopper 作用了，应该会把你的低频噪音移到100k左右。

从来没用过pnoise+PSS 做这种sim

以前我做Low noise chopped amplifier, 没用过这种办法。就是看一下noise corner,和chopper freq 的比例是多少

我的amplifier在1kHz的噪声是1.7uV/sqrt(Hz)，而且几乎是能做到的噪声极限了，就是说几乎不能再往下做小了。

chopper以后，我在1kHz的噪声变为500nV/sqrt(Hz)。我想chopper肯定是起了作用，只是由于我本身amplifier的噪声还是比较大，所以无法达到期望的值。

pss+pnoise是可以用来仿真chopper amplifier的，文档里面有说明的。

那你的noise corner怎么看呢?

1.7uV/sqrt(Hz) at 1kHz 似乎太大了。
你看你的noise summary, 在1kHz, spot noise, top 10 里面，是什么noise
你的input pair channel length 多大?

你在ac noise sim, 可以plot input referred noise voltage， 看看什么时候变平了，那个频率就是你的noise corner.

你这样的电路，noise corner 至少要在10kHz 以下。

另外一个办法，你可以把 chopper 频率增大，看你的noise corner 有没减小

我们的输入管已经做的很大了，Nmos输入，10/10， m=35，而且电流是500uA 才做到1.7uV/sqrt(Hz).

noise summary 我们已经调整过的，尽量让noise contribution大的管子做的size比较大。

input referred noise plot出来后，它的曲线后面部分并不是恒定的呀，它是一直在减小的，然后又变大了。那这样的话，noise corner不就看不出来了嘛?

看noise corner, 看斜率缓和的地方就差不多，不用那么准
输入管很大没错，但是还要看你current source load 的contribution.
还要看gm ratio.

current source 和 load 我们都优化过的。

我的noise corner 应该没有问题，我看了一下<10Hz。

现在问题就是noise无法减小。不知道你当时做low noise的时候，注意过它的scs文件里的noise parameter是多少吗（kf）?

0.35um 里面是Nmos: 4.5e-24  Pmos: 5.05e-25，这个是不是比较大。

noise corner 怎么可能是<10Hz, 你看错了把?

BSIM3 model, flicker noise model 还有 AF

把电路图贴出来把，还有noise ac plot 和noise summary

Nmos: af=0.9
Pmos: af=1.1

在noise summary中，M9 M10是两个current load，我们已经把它的尺寸做到工艺的最大值了。

input referred noise

noise summary

首先看noise corner, Y 轴要 log scale,  不能用linear

还有，你的noise summary, currrent source load 占了50% 说明不是好的设计。而且你current source load 是pmos 呀，本来flicker 就要低
不管怎么说也应该是input pair dominated.

你的current source load 是不是gm 太大了。

current source load 和你input pair 的gm 比例是多少?

这是我的电路。
因为我这个电路M9 M10中的电流和输入管的tail current 是一致的（这是它的工作原理决定的），所以电流很大，gm也很大583uA/V。输入管747uA/V。

我们刚开始看noise summary的时候，确实是输入管的noise contribution比较大，后来在增大输入管gm后，noise 的重心转移到M9 M10上面。
下面是我把input referred noise的纵坐标改为log后的图，那这样是不是说明它的corner frequency 在4MHz左右?

log scale

你的noise corner 看来就是4.4M, 难怪 100kHz 的 chopper 没啥用。

你的设计肯定有问题。 thermal noise 居然是80nV/sqrtHz, 太大了。

试试看把current source 的vdsat 搞大一些，把current source 的gm 降到input pair 的一半

为什么rail to rail input 的amplifier 会搞得这么复杂啊。不明白为啥会有中间那级

中间那级是maximum current selection级，用来做恒定跨导的.

那我可能需要再考虑一下我们的设计了，谢谢你了！

我们已经知道问题所在了，是我们的 .35工艺文件缺少一个噪声的参数。所以导致仿真偏差很大。

thermal noise 基本上是不会有啥变化的。
你的thermal noise 已经太高了， 即使没有flicker, 也达不到你的target

是我们要到的model 文件缺少了一个参数，后来修改过了，噪声就达到正常水平了。

是flkmod这个参数，但我不是太明白它的作用。

那你欢套工艺试试，TSMC的一般都还好的吧

you need to optimize the circuit performance

?/
i have used this process. all thought it wasnot enough steady. so there was some different results in the sim.

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