关于晶体振荡器精度问题
录入：edatop.com 阅读：
下图是32768Hz皮尔斯晶体振荡器。
1、我在负载电容端加入NMOS控制开关来控制负载电容的大小，但是觉得加入了NMOS会影响负载电容值的大小，因为本来负载电容就不大，约为每边18pF。如何才能消除这样的误差，
2、在pad上和封装的时候，应该也会影响负载电容的大小，不知道这个影响会有多少pF呢?是不是封装不同（比如sop8和sop16），这个影响也是不同的?
3、如何通过spectre来仿真稳定的震荡频率呢?我试过在电感上加入1nA的初始电流，让其振荡稳定，仿真测的邻近几个周期内的周期T是有微小变化的，这个会不会是由于仿真软件精度的原因?实际买原厂的芯片测试其32k方波输出，用示波器测试也会有同样的情况，不过这个应该可以认为手工测试不准。用频率计测试的时候是平均频率值，这个是很准的。我想问的是如何通过仿真软件来测试这个微小的变化呢?
1、我在负载电容端加入NMOS控制开关来控制负载电容的大小，但是觉得加入了NMOS会影响负载电容值的大小，因为本来负载电容就不大，约为每边18pF。如何才能消除这样的误差，
2、在pad上和封装的时候，应该也会影响负载电容的大小，不知道这个影响会有多少pF呢?是不是封装不同（比如sop8和sop16），这个影响也是不同的?
3、如何通过spectre来仿真稳定的震荡频率呢?我试过在电感上加入1nA的初始电流，让其振荡稳定，仿真测的邻近几个周期内的周期T是有微小变化的，这个会不会是由于仿真软件精度的原因?实际买原厂的芯片测试其32k方波输出，用示波器测试也会有同样的情况，不过这个应该可以认为手工测试不准。用频率计测试的时候是平均频率值，这个是很准的。我想问的是如何通过仿真软件来测试这个微小的变化呢?
我在想，如果那个负载电容CL比较大，譬如40pF的时候，下面开关NMOS的W/L是不是也要相应增大?因为振荡时需要电流通过电容，如果NMOS的下拉不够强的话，可能会减小40pF对晶体振荡器的作用。使振荡频率偏大。
你可以利用pss仿真！
thankthankthanks
看看看看
DDDDDDDDDDDDDDDDDD
鑫遥 夺
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
