工艺里Native管子的△Vth特别小，可以用来做运放的输入管吗？

如下表所示，native NMOS的△Vth特别小，可能是因为它的Vth本身就小的原因吧。
在下表的数据中,普通NMOS管子的面积要native NMOS的4倍，才能达到相近的△Vth。
这个native管子用来做运放的输入管来减少失配行吗?有什么缺点啊?求高手指点！

the N (that is concluded at the 'geo fac' equal) is what?

    应该就是M , N * W * L应该是算总面积

noise性能如何?
gm如何?
native的L需要取的比较大
没见人这样用过。

native nmos的offset会更大，只有在headroom不够的情况下才考虑用native device吧

native nmos的offset会更大，只有在headroom不够的情况下才考虑用native device吧

多谢指点！noise 和 gm还没看，不过从大家的指点看来，应该不用看了。我看见工艺库上有所以才想占点小便宜。

请教一下，为什么说“native nmos的offset会更大”?小编给出的数据中，△Vt是native的小啊?这个一般有什么说法呢?

多谢指点！

谢谢！

请问小编，你这个工艺是哪里的呢?我在找有native管子的工艺！谢谢拉！

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。