使mos处于饱和状态
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mos管 如果想让mos管处于饱和状态的话，对于栅端电压的值有什么要求么?是越小越好么?有范围么?对于驱动管子有什么说法么? 而且在N和P管中 对于栅端电压有什么不同么?
拿model跑个iv curve
看看你需要什么，选取iv curve的最佳位置
好好看书
栅压至少要加到亚阈值区，控制源漏电压高于Vgs-Vth+0.2,0.2是大致加的，还取决于电流
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