65nm漏电
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听说65nm工艺的MOS漏电很严重?
请问这是何故?
要如何改善?
主要是MOS管的阈值电压低了吧。
不是主要原因，45nm就不怎么漏电
是不是漏电是由于随着工艺下降，栅下面的二氧化硅介质越来越薄的缘故?
不知楼上的依据是什么?是不是用了高K介质，漏电小了?
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