請問TSMC triple well layout畫法
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請問一下各位大大有誰知道TSMC triple well layout的畫法
我的畫法是
先畫 n well 在裡面在畫一層dnwell 然後在dnwell再畫pwell請問這樣畫法對不對呀
還有 cross section view 是如何呀
因為現在再做l-edit的 .xst file
請各位大大賜教
我的畫法是
先畫 n well 在裡面在畫一層dnwell 然後在dnwell再畫pwell請問這樣畫法對不對呀
還有 cross section view 是如何呀
因為現在再做l-edit的 .xst file
請各位大大賜教
1# peter0426
refer to RF MOS
請大大講一下,具體要參考哪一本書,或是哪一篇文章壓
因為我沒有PDK
我也想了解了解
我也想了解了解.
我也想了解！
关注一下...
其實你可以直接呼叫rf-mos的cell把 rf的layer曾弄掉就可以了
如果你要硬幹的話
先畫好你的MOS元件,然後用N-EWLL蓋上, 並且把MOS的部分CHOPPER掉
加上DNW的LAYER層, 至於規範距離, 你就要去找了, 我太久沒畫, 有點忘了
这个我想知道，请高人来回答
基本上pwell是自动生成的，不用画吧
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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