有人做过capless的耳机功放吗？

见过类似方案，用chip产生vdd/2作为耳机的ground

capless 耳机功放有这样几个思路:
1.输出参考到一个虚地(VCM),缺点:多VCM 的DRIVER,功耗大
2.用charge pump产生一个负电压,功放供电采用正负电压,输出参考到地,缺点:多一个charge pump,并且charge pump的ripple对功放的影响也是个挑战
以上两种目前都有上市的产品
3. class D?不太了解

谢谢两位。
目前常用的应该是charge pump。
但如果产生一个负压，电源就变成了2VDD
那如果使用5V CMOS做应用于5V的这种电路，电压差就到了10V，需要使用高压device嘛?
还是用低压device在可能overstress的地方限幅，这样可靠嘛?

如果可能的话,采用2.5V电源,charge pump出来的应该是+/- 2.5V

呵呵，还有更好的办法吗?

thank you

目前TI的一款G类capless新品耳机功放就是采用内置charge-pump,正负电源,直接BIAS到GND上的, 这个思路不很好吗?耳机功放功率也不是很大,对CHARGE-PUMP要求也不是很高的,我觉得你应该知道吧

恩。这个我知道。但我觉得这样需要使用高压device，比如5V到-5V的压差实际上达到了10V，过压的地方至少是需要clamp的。不过，现在找到了个多模charge pump的解决办法。
大家可以继续讨论

能不能说一下有没有具体的芯片
我去找下相关资料 学习学习

需要使用高压device，比如5V到-5V的压差实际上达到了10V --> 耳机功放功率不是很大, 不需要用到这么高的压差

nice...

有问题请教

见过类似方案，用chip产生vdd/2作为耳机的ground

capless 耳机功放有这样几个思路:
1.输出参考到一个虚地(VCM),缺点:多VCM 的DRIVER,功耗大
2.用charge pump产生一个负电压,功放供电采用正负电压,输出参考到地,缺点:多一个charge pump,并且charge pump的ripple对功放的影响也是个挑战
以上两种目前都有上市的产品
3. class D?不太了解

谢谢两位。
目前常用的应该是charge pump。
但如果产生一个负压，电源就变成了2VDD
那如果使用5V CMOS做应用于5V的这种电路，电压差就到了10V，需要使用高压device嘛?
还是用低压device在可能overstress的地方限幅，这样可靠嘛?

如果可能的话,采用2.5V电源,charge pump出来的应该是+/- 2.5V

呵呵，还有更好的办法吗?

thank you

目前TI的一款G类capless新品耳机功放就是采用内置charge-pump,正负电源,直接BIAS到GND上的, 这个思路不很好吗?耳机功放功率也不是很大,对CHARGE-PUMP要求也不是很高的,我觉得你应该知道吧

恩。这个我知道。但我觉得这样需要使用高压device，比如5V到-5V的压差实际上达到了10V，过压的地方至少是需要clamp的。不过，现在找到了个多模charge pump的解决办法。
大家可以继续讨论

能不能说一下有没有具体的芯片
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