关于mos开关的一些疑惑

对于一个mos开关来说，不论是单管的还是传输门都应该是尺寸越大，导通电阻越小，但是寄生电容就越大。最近在做一个电路时遇到了以下的问题，望大家讨论解决下。
大概的模型就是这样了，想求教一下各位图中复位开关s2对电路的影响，我现在发现的现象是s2尺寸变大后，每次复位后，共模电平比较稳定，但是放大倍数会受到比较大的影响，就是说放大的精度大大降低，s2尺寸小的话，放大精度比较高，但是共模点无法稳定，表现为比较明显的震荡，希望哪位给解释下原因，能给出好的解决方案就更好啦

S2尺寸越大的话，在S2断开的时候，X上的电荷会被吸收一部分，导致了放大精度的下降，此时S2尺寸大的话，导通电阻小，OP的loading就是C1，
     如果S2尺寸变小的话，电荷注入就会减弱，放大精度会变好，由于导通电阻大，影响了输出极点的位置，建议你可以在采样相做一个环路稳定性分析。
     以上是我的看法，欢迎楼下拍砖，大家一起分析一下！

好分析

如果是传输门或者伪开关的话，沟道电荷注入应该是被一定程度的抵消，开关尺寸的大小还会是敏感因素吗?

   开关单独仿过了吗，先要确认开关设计没问题，可以最大限度的抵消沟道注入开关控制不好的话不但不会抵消而且会恶化沟道注入，
再一个确定NMOS和PMOS的控制时钟延时问题，确定栅极信号同步
减小尺寸的电阻增大，增加一个低频极点或者说电荷释放不充分

    能否解释一下:放大精度是个什么概念?谢谢！

charge injection的影响

请教一下，开关单独如何仿真验证就认为是没有问题了?

1. dummy switch
2. dummy buffer.

    看看有多少channel charge没有被cancel掉，根据电容算算会不会影响你的精度要看worst case

先将开关全部换成理想开关，验证下运放如何?在将运放换成理想的对比一下。最后一个一个换开关，在看看。

    有道理。

学习,顶一个

学习一下

这块不太懂

S2导通时没有太大影响,S2关断时mos管的极间电容受电压影响变化而对改变电路实际参数,办法是加大C2或按参数重新选择S2.

charge injection的影响

换是换了，就是开关问题啊，但是解决方法还是没太找到

电荷注入肯定是一方面，但是这里似乎导通电阻更重要

你用bootstrap switch试试。电荷注入不应该那么大。

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