如何通过仿真单管本征增益来确定基本工艺参数
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我现在正在做带隙基准的论文，由于不知道器件的主要电路参数，需要进行手工推导：
请问如何通过仿真单管nmos_3p3、pmos_3p3的本征增益，仿真条件为W/L=9u/2u，电流源Id=25uA，过驱动电压为0.2V,怎样得到它的沟道长度调制系数Lambda和unCox、upCox。求答案，先谢下 ！
请问如何通过仿真单管nmos_3p3、pmos_3p3的本征增益，仿真条件为W/L=9u/2u，电流源Id=25uA，过驱动电压为0.2V,怎样得到它的沟道长度调制系数Lambda和unCox、upCox。求答案，先谢下 ！
我也想知道 强烈的欲望
做个比本电路，电源用理想电源就可以，仿真计算
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