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如何设计一个二级的bipolar放大器

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设计一个基本的二级bipolar放大器。
用bipolar设计二级放大器时，第二级的输入管经常用复合达林顿管。这就产生了一个问题：达林顿管虽然提高了电流放大倍数，但是却降低了第二级输入管的跨到gm。于是相对于CMOS放大器来说，零点z=gm/Cc更靠近主极点。
向大家请教一下，如何解决这一问题?

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。

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