带隙基准源的问题

带隙基准源中的pnp三极管的B级和C级相连接地和E级形成二极管，其温度系数△VBE/△T，在拉扎维书上为-1.5 mV/°K，但在实际应用中，有时为-2.1 mV/°K，请问如何根据工艺库中的参数推算出二极管的温度系数呢?如csmc的0.5工艺。

书上和实际肯定会有差别的

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请问如何推算出来呢?

没人回答阿，知道的大哥们不吝赐教阿

跑跑仿真吧，总是需要微调的

工艺文件里，会给出一些特性的温度参数。

没算过，都是仿的
但看工艺里面temp coeffiency里面有 IS，xti，分别是反向饱和电流和反向饱和电流系数，用公式vbe=vt*ln(ic/is)就可以算温度系数了。

工艺文件记得好像有，但知道了温度系数算出来的结果肯定不准，还是要自己仿

差别总是会有的~

我感觉应该从带隙的原理入手，就容易了

请问一下，如何仿真温度系数呢?写一下hspice语言可以么?

Vbe的温度系数具体怎么仿真?

公式vbe=vt*ln(ic/is)和ic有关系啊，那就必须先确定ic的大小才能计算，而ic的大小是由电阻值来确定的。
我觉得用公式计算的肯定不正确，应该是要仿真的吧。但是Vbe的温度系数和温度以及Vbe的大小有关系，具体怎么仿真的?做过的人来讲讲吧！
呵呵

公式是大大的简单化了。但是别忘了，仿真就是计算繁复公式。具体地说，半导体工艺参数很多，都有些温度相应在里面。所以-2mV/degC是泛泛而谈。最后的结果就是Vbg=Vbe+KVt, 正负抵消。
具体仿真就是看Vdc vs. temp. 在cadence里面就是个普通的parametric sweep.

说到底还是要借助仿真工具，现在的模型太复杂了。

要看model吧

应该还是靠仿真吧?

自己做一下dc sweep就可以了，  给三极管一个恒定的电流偏置（电流大小跟实际工作电流相同），做温度扫描，然后看一下Vbe随温度变化的曲线，自己测量一下，希望有所帮助
ps，拉扎维给出的只是一个参考值，随着工艺的不同这个值会有变化的，有其实现在用的很多都是标准的mos工艺，跟bjt，bicmos工艺的差异还是不小的

工艺库里的参数也不一定准  所以没法去推   只能是仿真微调到合适的地方

不知道怎么算啊

从推倒公式来推倒啊

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