射频VCO电源线和地线布局

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我正在做一个5.8G的VCO，用的是TSMC.18工艺，LC交叉耦合结构，其中有几点不解向大家请教：
1，因为用的是射频库元件，每个器件都做了保护环，保护环要么接电源要么接地，这样每个器件都需要接电源线或地线，像nmos管里边做了P保护环外边又做了一圈N+保护环，那么P保护环接地，N保护环接电源，如果它的源极接地，这样太麻烦了，我想问的是电源线和地线该怎样布局啊，保护环接地与源极接地这两个地是接到一起吗
2，工艺库里没有提供pad，那么射频pad怎么做呢?
期待大牛们解答！