关于闪烁噪声的两个问题
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1 在bsim3v3模型中,定义 Flicker Noise = Kf*Ids^af/(Cox*Leff)*1/f^ef, (1)
其中,Kf is the Flicker noise parameter, af is Frequency exponent, ef is Flicker exponent 。
而在razavi书中,Flicker Noise = K/(Cox*W*L)*1/f, (2)
请问该如何理解这两个表达式之间的关系。
2 转角频率 fc = K/(Cox*W*L)*gm*3/(8kT),随着工艺的特征尺寸的不断减小,将如何变化?为什么?
先谢谢不吝赐教
其中,Kf is the Flicker noise parameter, af is Frequency exponent, ef is Flicker exponent 。
而在razavi书中,Flicker Noise = K/(Cox*W*L)*1/f, (2)
请问该如何理解这两个表达式之间的关系。
2 转角频率 fc = K/(Cox*W*L)*gm*3/(8kT),随着工艺的特征尺寸的不断减小,将如何变化?为什么?
先谢谢不吝赐教
好问题!等待学习
感觉razavi书里做了简化了吧。
怎么可以自己顶自己的帖不?
望高手指导啊
bsim中加入了很多非理想的系数,而这种系数通常情况下对式子的影响很小。Razavi那本书其实原理性的东西讲得不深入的,以入门为主。
2. 变低频。
变低频什么意思了?
变低的意思是吗?
有没有比较理论化,公式化的解释方法?
如果你是搞device modeling,你就该看的就远不止bsim3v3和razavi的书了,在最新的bsim4.x里面,flikcer noise和number of finger等参数都是有关系的。如果你是搞电路的,你只要知道1/f特性和Vn inversely proportional to sqrt(WL)就够了。corner都是仿真出来,指望算没啥意义。看看noise contribution你就知道该优化thermal noise还是flickre noise 了
学习了
正解。
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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